近日，澳门赌场微电子研究所微电子设备技术研究室（八室）刘键、刘杰、冷兴龙、屈芙蓉等科研人员组成的有机电子柔性封装课题组，联合澳门赌场苏州纳米技术与纳米仿生研究所，在有机电子器件低温柔性薄膜封装ICP-PECVD系统研究上取得显著进展。

有机电子器件具有轻、柔、薄等特色，有机电子产品市场前景广阔，是当今国际研究热点之一。有机电子器件金属阴极及部分功能材料对水氧特别敏感，使得有机电子器件封装特别是柔性封装成为技术难点。具有有机/（过渡层）/无机交替结构的柔性薄膜封装是有机电子器件封装的最佳选择之一。柔性薄膜封装要求封装温度低于120^oC、有机/无机薄膜同源同室生长、封装层水氧阻挡性强。

针对上述要求，该研究团队设计并研制了一套有机电子低温柔性薄膜封装ICP-PECVD系统。通过调节生长气氛，在相同的前驱体条件下分别实现有机、过渡、无机薄膜的同腔沉积。沉积时样品台温度控制在80^oC左右。沉积薄膜厚度均一，6寸硅片厚度均匀性达0.52%；沉积薄膜表面平整，薄膜表面粗糙度Ra可低至0.33nm；单个周期有机/无机交替结构薄膜封装层水汽渗透率达3.66×10-4g/m2/day（已超出北京印刷学院水氧渗透率测试仪10-4g/m2/day测试极限）。

图1 ICP-PECVD系统

(a)　　　　  　　　 　 (b)　　　　　　　  　　  (c)

图2有机、无机薄膜沉积前后6寸硅片照片

（a）沉积前，（b）无机，（c）有机

(a)　　　　　　　　　　 (b)

图3 沉积前后PET照片

（a）沉积前，（b）沉积后

图4 水汽渗透率测试结果